Với cấu trúc tế bào và chất nền tuyệt vời, tấm pin mặt trời loại N này dự kiến sẽ đạt được hiệu suất tế bào là 28,7%, gần với giới hạn lý thuyết của silicon tinh thể.
Sản phẩm này là mô-đun hai mặt kính với công suất đầu ra tối đa là 430W, hiệu suất mô-đun tối đa là 22,0% và dung sai công suất đầu ra là 0~+5W.